指挥部临时搭建的板房会议室里，灯火通明。
这里没有豪华的装修，只有一张掉漆的长条桌，几把吱呀作响的折叠椅。
桌上，两杯热气腾腾的白开水，旁边是堆得像小山一样的技术资料。
李昂和钟元年，就这么相对而坐。
一个年轻的市长，一个白发的泰斗。
这场注定要载入江州史册的彻夜长谈。
就在这简陋到近乎寒酸的环境里，开始了。
“说说材料吧。”
钟元年率先开口，打破了沉默。
他没有问那些宏观的战略，而是直插心脏，从整个半导体产业最基础的根基问起。
李昂点了点头，身体微微后仰，靠在椅背上。
“磷化铟、氮化镓、碳化硅。”
他没有丝毫的停顿，直接报出了三个名字。
“这三种化合物半导体材料，国内都有实验室在做，但都没得到真正的重视。”
“所有人都觉得，这是旁门左道，远不如硅基芯片前景广阔。”
钟元年苍老的眼皮动了动，没有说话，示意他继续。
“但他们没看到，在高频、高温、高功率的应用场景下，这三种材料的物理性能，是硅望尘莫及的。”
“B计划的第一步，不是要去追赶别人已经成熟的赛道。”
“而是要开辟一个全新的，我们能掌握主动权的战场。”
李昂的声音很平稳，就像在陈述一个既定的事实。
钟元年端起水杯，喝了一口，滚烫的开水仿佛没能给他带来任何感觉。
他只是默默地听着，那张布满皱纹的脸上，看不出任何情绪。
李昂话锋一转。
“再说说等离子物理。”
他站起身，走到墙边挂着的一块白板前，拿起一支记号笔。
“国内现有的ICP刻蚀机，最大的问题是等离子体均匀性不够，导致良品率上不去。”
“核心原因，在于反应腔的结构设计，沿用的是二十年前的老路子。”
他说着，笔尖在白板上飞快地移动。
几条简单的曲线，几个关键的参数标注，一个全新的反应腔结构示意图，跃然板上。
“增加一个亥姆霍兹线圈，改变射频电源的耦合方式，再优化一下气路喷淋头的设计。”
“这样，就能在腔体内形成一个更稳定、更均匀的磁约束场。”
“刻蚀的精度和速度，至少能提升百分之三十。”
本章未完，请点击下一页继续阅读！